HBM4E 고성능 채택이 반도체 성장에 미치는 함의

SK하이닉스가 HBM4E의 로직 다이에 TSMC 3nm 공정을 검토하는 것은 고성능 메모리 수요 증가와 연관된다. 데이터센터·AI 가속기 수요 확대로 HBM 성능·대역폭 경쟁이 심화되며, 바닥부터의 공정 미세화는 메모리-로직 통합의 성능 향상으로 이어져 관련 장비·재료·파운드리 산업의 투자 및 생산 증가를 촉발할 가능성이 있다. 이는 반도체 분야 전반의 생산량과 설비투자 지표를 상향시키는 요인이 될 수 있다.

출처

• [[260323_kiwoom_semibat_15891_ref]] (원본 노트)