GaN 특성과 적용 영역—1200V 이하용 강점

GaN은 실리콘 대비 넓은 밴드갭을 가져 전류 차단 성능이 우수하고, 높은 전압과 빠른 스위칭에 유리해 전력 밀도·효율을 높인다. 주로 1200V 이하급 전력반도체에 쓰이며 전기차 충전기, 휴대폰 충전기, AI 데이터센터의 전력 변환(고전압 DC→저전압 변환) 등에서 활용된다. 발열과 장비 크기 감소로 고밀도 설계에 적합하다.

출처

• [[260320_kiwoom_semibat_15871_ref]] (원본 노트)