HBM4 베이스다이 생산을 4nm 파운드리로 전환

보도에 따르면 삼성은 HBM4 베이스다이 생산을 메모리사업부에서 파운드리(평택, 4nm 공정) 중심으로 전환해 양산을 확대하고 있다. 고객 요구(성능·전력효율)가 높아지면서 고성능 베이스다이 제조는 파운드리 공정의 미세공정·디바이스 제어 역량이 유리하다고 판단한 것으로 보인다. 이 변화는 HBM3E까지의 내부 처리 관행과 대비되는 전략적 전환이다.

출처

• [[260320_kiwoom_semibat_15873_ref]] (원본 노트)