SiC와 GaN의 역할 구분—전압 등급별 분화

전력반도체는 GaN과 SiC로 크게 나뉜다. GaN은 1200V 이하에서 강점을 보이는 반면, SiC는 1200~1700V급 이상에서 주로 사용된다. 삼성은 GaN 파운드리와 별개로 SiC 파운드리도 가동 예정이며 SiC는 설계부터 패키징까지 도맡아 1200~1700V급 제품을 생산할 계획이다.

출처

• [[260320_kiwoom_semibat_15871_ref]] (원본 노트)